基本信息
| 标准名称： | 半导体硅材料中杂质元素的活化分析方法 |
| 英文名称： | The activation analysis method for the determination of elemental impurities in semiconductor silicon materials |
| 中标分类： | 冶金 >> 金属化学分析方法 >> 半金属及半导体材料分析方法 |
| ICS分类： | |
| 发布部门： | 国家标准局 |
| 发布日期： | 1984-03-28 |
| 实施日期： | 1985-03-01 |
| 首发日期： | 1984-03-28 |
| 作废日期： | 1900-01-01 |
| 主管部门： | 中国有色金属工业协会 |
| 提出单位： | 有色金属总公司 |
| 归口单位： | 中国有色金属工业协会 |
| 起草单位： | 有色金属研究总院 |
| 起草人： | 周云鹿、章家鼎 |
| 出版社： | 中国标准出版社 |
| 出版日期： | 1985-03-01 |
| 页数： | 18页 |
适用范围
本标准适用于单晶硅、多晶硅中金属杂质素和非金属杂质素含量的测定。本标准包括杂质素（十六个）的反应堆中子活化仪器分析方法、铜和砷的反应堆中子活化放射化分离分析方法、磷的反应堆中子活化放射化分离分析方法、氧的α粒子活化仪器分析方法和碳的氘子活化仪器分析方法。
前言
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目录
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所属分类： 冶金 金属化学分析方法 半金属及半导体材料分析方法